在投影式曝光系统中，掩模图形经光学系统成像在光刻胶上，掩模板与衬底上的光刻胶不接触，从而不会引起掩模板的损伤和沾污，成品率和对准精度都比较高。投影式曝光系统的基本参数包括分辨率、焦深、视场、调制传递函数、关键尺寸、套刻与对准精度以及产率。当光源波长不变的情况下，孔径数值越小，系统的光学分辨率（）；当孔径数值不变的情况下，光源波长越短，系统的光学分辨率（）。
区块链毕设网qklbishe.com为您提供问题的解答
在投影式曝光系统中，掩模图形经光学系统成像在光刻胶上，掩模板与衬底上的光刻胶不接触，从而不会引起掩模板的损伤和沾污，成品率和对准精度都比较高。投影式曝光系统的基本参数包括分辨率、焦深、视场、调制传递函数、关键尺寸、套刻与对准精度以及产率。当光源波长不变的情况下，孔径数值越小，系统的光学分辨率（）；当孔径数值不变的情况下，光源波长越短，系统的光学分辨率（）。
答案说反了
33:44
以上就是关于问题在投影式曝光系统中，掩模图形经光学系统成像在光刻胶上，掩模板与衬底上的光刻胶不接触，从而不会引起掩模板的损伤和沾污，成品率和对准精度都比较高。投影式曝光系统的基本参数包括分辨率、焦深、视场、调制传递函数、关键尺寸、套刻与对准精度以及产率。当光源波长不变的情况下，孔径数值越小，系统的光学分辨率（）；当孔径数值不变的情况下，光源波长越短，系统的光学分辨率（）。的答案
欢迎关注区块链毕设网-
专业区块链毕业设计成品源码，定制。
区块链NFT链游项目方科学家脚本开发培训
