硅二极管的正向导通压降比锗二极管的(   )。-笔试面试资料

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答案:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的(   )。

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硅二极管和锗二极管的电路性质相同,制造工艺也相同。由于材料的差异,硅二极管的热稳定性好,锗二极管的热稳定性稍差,它们的不同主要表现在以下几个方面。 
(1)锗二极管的正向导通压降小,硅二极管的正向导通压降大;锗二极管的死区电压小(O.2V),硅二极管的死区电压大(0.5V)。 
(2)锗二极管的反向电流大;硅二极管反向电流小,性能稳 
(3)温度变化对锗二极管影响较大,而对硅二极管影响较小。所以硅管比锗管耐高温性好。 
(4)锗二极管的反向击穿电压低,硅二极管的反向击穿电压高。 
硅二极管比锗二极管,耐压高,响应时间短,性能稳定!在大部分电路里硅管能取代锗管,但硅二极管的正向压降为0.7V比锗二极管的正向压降0.3V要高,所以在一些特定的环境,比如小信号检波电路中锗管就有一定的优势.

今天 09:44:19 回复(0)

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